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国家信息光电子创新中心等四单位研发的100G硅光收发芯片正式投产
发布时间:20-05-20

日前,由国家信息光电子创新中心、光迅科技公司、光纤通信技术和网络国家重点实验室、中国信息通信科技集团联合研制成功的“З100G硅光收发芯片”正式Θ投产使用。实现100G/200G全集К成硅Ⅳ基相干光收发集成芯片和器件的量产,并通过了用户现┚网测试,性能稳定可⊿靠,为80σ公里☼以上跨距的100G/200G相干光通信设备提供超小型、高性能、通用化的解决方案。┙

该款商用化硅光芯片在一个不到30平方毫米的硅芯片上集成了包括光发送、调制、接收等近60个有源和无源光元件,是目前国际上已报道的集成度最高的商∴用硅光子集成芯片¤之≌一◄。该芯片完成封装后,其硅光器件产品的尺寸仅为312平方毫米,面积为传统器件的三分之一,可以全面满足C╢ⓞFP/CFP2┖(外形封装可插拔¥)相干光模块的需求。

国家信息光电子创新中心专家委员会主任余少华院士表示:“硅材Θ料▨来源〓丰富,成本低,机械性能、耐高温能力非常好,便于∶芯片加工和封装。借助集成电路已大◆规模‖|商用的CMOS工艺平台实现硅▐光芯片的生产制造,可以有⿻效解决我国高端光电۩子芯片制造能力薄弱、工艺能力不足的问题。不过,硅材料属间接带隙半导体材料,需要解决硅基光源加工和众多光元件集成难题;硅材料不存在线性电光效应和光电探测功能,也需要解决调制器加╩工和锗硅外延生长难题。加上♀硅光芯片对高⺌端光器件的带宽、集成度、性能⊙、功耗、可靠性和成本等要求极✿。✿高,※使得多年来硅光芯片一直是我国光通信行业的一只拦路虎。此次工信部主导成立国家信息└光电子创新中心,及时推动四家单位通力合作实现了100G硅光芯片的产∟业化商ↈ用,不仅展ы现出硅光技๑术优势,也表明我国已经具备了硅光产品商用化设⊿计的条件和基础。我们十分期待未来几≠年硅光技术在光通信∩系统中的大规模部署和应用,推动我国自۩主硅光芯片技术向超高速超大容量超长距离、高集成度、高性能、低功耗▎▏、高可靠方向发展。”

图:(左) 100G/200G硅基相干光收发芯片

(中)硅光发射机128Gρb/πs PDM-QPSK星座ↅ图

(右)硅光发射机256G@b/√s PDM-1├6QAM星座图→